半导体结构离散 k·p 模型中虚假态的简单修正方法
介观与纳米尺度物理
2015-02-10 v3
摘要
在半导体异质结构和纳米结构的包络函数模型数值实现中发现的虚假态，是使用中心差分公式所致的人为产物。通过采用一阶差分格式可以轻松消除这些虚假态。该技术不会产生人们通常担心的低阶格式所导致的精度损失；事实上，它对连续体能带结构的保真度得到了提高。此外，其稳定性是绝对的，因此无需调整模型参数。这些特性在半导体超晶格三带模型的显式计算中得到了证实。
引用
@article{arxiv.1412.7201,
title = {Simple remedy for spurious states in discrete k(dot)p models of semiconductor structures},
author = {William R. Frensley and Raja N. Mir},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7201},
year = {2015}
}
备注
Significant revision; an explicit real-space computation of a superlattice structure is now included. The title was slightly modified to emphasize that we are addressing the problems introduced by discretization