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随机杂质存在下的克莱因隧穿

介观与纳米尺度物理 2013-01-16 v1

摘要

本文研究随机介质中的克莱因隧穿。为此,我们模拟了相对论性高斯波包通过具有随机分布势垒(杂质)的石墨烯样品的传播。基于相对论量子格子玻尔兹曼方法的模拟,可以计算穿过样品的透射系数,从而提供电导率作为杂质浓度和势垒强度的函数的估计。发现与无质量粒子相比,有质量粒子的波包因杂质导致的电导率损失显著更高。给出了电导率损失作为杂质百分比的函数的一般表达式,并与经典流体动力学中无序介质的Kozeny-Carman定律成功进行了比较。

关键词

引用

@article{arxiv.1202.6217,
  title  = {Klein Tunneling in the presence of random impurities},
  author = {S. Palpacelli and M. Mendoza and H. J. Herrmann and S. Succi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1202.6217},
  year   = {2013}
}

备注

12 pages, 38 figures