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一维莫特绝缘体中的 Keldysh 渡越

强关联电子 2024-04-15 v2

摘要

脉冲激光技术的最新进展促进了在强电场存在下,跨越广泛光子能量范围的电子态非平衡光谱学的探索。Keldysh 渡越作为一个指标,区分了由近红外多周期脉冲触发的光子吸收所引起的激发,以及由太赫兹脉冲诱导的量子隧穿所产生的激发。利用含时密度矩阵重整化群,我们研究了一维莫特绝缘体中 Keldysh 渡越的出现。我们发现,当泵浦脉冲诱导光子吸收时,Drude 权重与光掺杂的双占据子密度成正比。相反,当太赫兹脉冲通过量子隧穿引入双占据子和空穴子时,Drude 权重受到抑制。被抑制的 Drude 权重伴随着扩散受抑的玻璃态动力学,这是强关联的结果,并表现出在脉冲照射后缓慢衰减的有限极化。在量子隧穿区域,纠缠熵缓慢地呈对数增长。光子吸收和量子隧穿区域之间的这些对比行为是一维莫特绝缘体中 Keldysh 渡越的体现,并为设计电子态的局域化和对称性(称为亚周期脉冲工程)提供了一种新颖的方法论。

关键词

引用

@article{arxiv.2401.12584,
  title  = {Keldysh crossover in one-dimensional Mott insulators},
  author = {Kazuya Shinjo and Takami Tohyama},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2401.12584},
  year   = {2024}
}

备注

7 pages, 5 figures