在有向硅晶体中由高能电子和正电子引起的 K 壳电离与特征 X射线辐射
原子物理
2026-04-14 v2 高能物理 - 实验
摘要
研究了在有向硅晶体中由高能电子和正电子引起的 K 壳电离与特征 X射线辐射 (CXR)，并对该模拟方法进行详细描述。该模拟方法开发后，探讨了 CXR 从晶体上游表面的角分布随入射粒子动量与晶体 <100> 轴或 (100) 面的夹角变化，以及随粒子能量在宽广范围内 (1-1000 GeV) 的演化规律。结果表明，这种演化在大多数情况下是非单调的。讨论了支撑这种行为的物理机制。特别是，分析了 dechanneling 过程对由电子产生的 CXR 的影响。
关键词
引用
@article{arxiv.2511.13407,
title = {K-shell ionization and characteristic x-ray radiation by high-energy electrons and positrons in oriented silicon crystals},
author = {S. V. Trofymenko and I. V. Kyryllin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.13407},
year = {2026}
}
备注
13 pages, 7 figures