基于软 X 射线 ARPES 的埋藏异质结构与杂质体系的 k 分辨电子结构
材料科学
2019-06-27 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
角分辨光电子能谱（ARPES）是探测固体中电子动量 k 分辨电子结构的主要实验工具。软 X 射线 ARPES（SX-ARPES）工作在约 1 keV 的光子能量范围，与传统的 VUV 范围 ARPES 相比具有增强的探测深度，并通过共振光发射实现元素/化学态特异性。这些优势使 SX-ARPES 非常适合于埋藏异质结构和杂质体系，它们是当前和未来电子学的核心。此处用若干开创性结果说明了这些应用，包括半导体和氧化物异质结构中的埋藏量子阱态、其临界影响电子传输的玻色子耦合、稀磁半导体和拓扑材料中的磁性杂质等。高光子通量和探测效率对于将 SX-ARPES 实验推进到这些最耗光子的情形至关重要。
引用
@article{arxiv.1906.11025,
title = {k-Resolved electronic structure of buried heterostructure and impurity systems by soft-X-ray ARPES},
author = {V. N. Strocov and L. L. Lev and M. Kobayashi and C. Cancellieri and M. -A. Husanu and A. Chikina and N. B. M. Schröter and X. Wang and J. A. Krieger and Z. Salman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.11025},
year = {2019}
}