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扭曲三层石墨烯中由自旋选择性谷对称性破缺诱导的 Ising 超导

超导电性 2023-08-02 v3 介观与纳米尺度物理

摘要

我们表明,在扭曲三层石墨烯中,ee-ee 相互作用导致每个自旋通道的谷对称性强烈破缺,从而产生一种基态:两个自旋投影具有符号相反的谷对称性破缺序参量。这导致自旋-谷锁定,其中库珀对中的电子被迫生活在附着于相反谷的不同费米线上。此外,我们发现了一种有效的本征自旋轨道耦合,解释了超导对平面内磁场的防护。自旋选择性谷对称性破缺的效应得到验证,因其重现了在 2-空穴掺杂处霍尔密度重置的实验观测。它还意味着能带对称性从 C6C_6C3C_3 的破缺,伴随费米线各向异性的增强,这正是一种 Kohn-Luttinger(配对)不稳定性的起源。然而,当费米能级接近第二价带底时,能带的各向同性逐渐恢复,解释了为何在扭曲三层石墨烯中每摩尔超晶格单元超过 3 个空穴的掺杂范围内超导逐渐消失。

关键词

引用

@article{arxiv.2110.11294,
  title  = {Ising superconductivity induced from spin-selective valley symmetry breaking in twisted trilayer graphene},
  author = {J. Gonzalez and T. Stauber},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2110.11294},
  year   = {2023}
}

备注

26 pages, 19 figures