硅中eV尺度电子反冲过程的电离产额
天体物理仪器与方法
2020-10-07 v2 高能物理 - 实验
数据分析、统计与概率
仪器与探测器
摘要
具备单电荷分辨能力的大尺度硅探测器的研发，为观测O(eV)尺度上的稀有过程打开了窗口。为了重建给定事件的能量，或建模探测器中电子吸收特定能量后所获得的电荷信号，需要精确的电荷产额模型。本文回顾了硅中电荷产额的已有测量，特别关注1 keV以下的能区。我们强调了12–50 eV之间（称为“UV间隙”）的标定空白，并采用碰撞电离的唯象模型来探究该能量区间可能的电荷产额。最后，我们以暗物质与电子散射这一测试用例，探讨了该模型变化的影响，以说明电荷产额不确定性的科学影响。
引用
@article{arxiv.2004.10709,
title = {Ionization Yield in Silicon for eV-Scale Electron-Recoil Processes},
author = {Karthik Ramanathan and Noah Kurinsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.10709},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 10 figures