拓扑绝缘体相变中的逆参与比与局域化
介观与纳米尺度物理
2016-10-13 v1
摘要
通过逆参与比 (IPR) 测量的哈密顿量本征函数的涨落，结果证明可以表征在二维 Dirac 材料（如硅烯）中发生的拓扑-能带绝缘体相变，硅烯与石墨同构但具有强自旋轨道相互作用。利用 IPR 作为垂直电场（提供可调带隙）函数的单调性，我们定义了类拓扑量子数，其在拓扑绝缘体相和能带绝缘体相中取不同值。
引用
@article{arxiv.1610.03696,
title = {Inverse participation ratio and localization in topological insulator phase transitions},
author = {M. Calixto and E. Romera},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.03696},
year = {2016}
}