单分子磁体中本征自旋弛豫诱导的负隧穿磁电阻
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v2
摘要
我们从理论上研究了本征自旋弛豫对通过弱耦合于铁磁引线的单分子磁体 (SMM) 的自旋相关输运的影响。隧穿磁电阻 (TMR) 是通过速率方程方法获得的，该方法不仅包含了顺序过程，还包含了共隧穿过程。研究表明，在顺序区域，快速自旋弛豫会强烈抑制 TMR，而在共隧穿区域，TMR 可从较大的正值变化为轻微负值。此外，当沿 SMM 易轴施加外磁场时，随着弛豫强度的增加，会出现较大的负 TMR。最后，在高偏压极限下，负偏压的 TMR 略大于顺序区域的特征值，然而由于快速自旋弛豫，正偏压的 TMR 可能变为负值。
引用
@article{arxiv.1304.6044,
title = {Intrinsic spin-relaxation induced negative tunnel magnetoresistance in a single-molecule magnet},
author = {Haiqing Xie and Qiang Wang and Hai-Bin Xue and HuJun Jiao and J. -Q. Liang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.6044},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 5 figures