n掺杂 bulk GaAs 中的本征自旋-霍尔效应

B. Andrei Bernevig; Shou-Cheng Zhang

n掺杂 bulk GaAs 中的本征自旋-霍尔效应

材料科学 2007-05-23 v1 其他凝聚态物理

作者: B. Andrei Bernevig , Shou-Cheng Zhang

摘要

我们指出，bulk Dresselhauss ( $k^3$ ) 自旋轨道耦合项可导致 n掺杂 bulk GaAs 中的本征自旋-霍尔效应，但不会出现均匀磁化。Kato 等人最近在strained 和 unstrained bulk GaAs 中观察到自旋-霍尔效应 \cite{kato2004A}。我们指出，在考虑寿命展宽后，实验结果与 Dresselhauss 项导致的本征自旋-霍尔效应定量一致。相比之下，外生自旋-霍尔效应的贡献仅为观测效应的数个数量级。

关键词

自旋-霍尔效应 Dresselhauss 项 GaAs 自旋轨道耦合本征效应

引用

@article{arxiv.cond-mat/0412550,
  title  = {Intrinsic Spin-Hall Effect in n-Doped Bulk GaAs},
  author = {B. Andrei Bernevig and Shou-Cheng Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412550},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages

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