CVD 生长石墨烯纳米谐振器中的本征能量耗散
介观与纳米尺度物理
2012-05-29 v1 计算物理
摘要
我们利用经典分子动力学研究了单层 CVD 生长石墨烯纳米谐振器的品质因子（Q 因子）。特别地，我们关注由 CVD 生长过程产生的、具有不同取向的本征晶界对 Q 因子的影响。对于与 CVD 生长石墨烯中实验观察到的一致取向角范围，即 0° 到约 20°，我们发现具有本征晶界的石墨烯的 Q 因子比原始单层石墨烯的小 1-2 个数量级。我们发现 Q 因子的退化受到晶界处出现的 5-7 缺陷对的对称性和结构的强烈影响。因此，我们也证明，通过施加适度的（1%）拉伸应变，CVD 生长石墨烯的 Q 因子可以显著提高，并接近原始石墨烯的水平。
引用
@article{arxiv.1204.1506,
title = {Intrinsic Energy Dissipation in CVD-Grown Graphene Nanoresonators},
author = {Zenan Qi and Harold S. Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.1506},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 10 figures