偏置长程关联无序晶格中的带内激子弛豫

我们对存在线性偏置的一维无标度无序晶格中的带内激子弛豫进行了数值研究。激子输运被视为在静态晶格本征态上的非相干跳跃。无偏晶格的格点势具有长程关联，其功率谱密度为 $S(k) \sim 1/k^{\alpha}$，$\alpha > 0$。只要 $\alpha$ 大于临界值 $\alpha_c$ [F. A. B. F. de Moura and M. L. Lyra, Phys. Rev. Lett. \textbf{81}, 3735 (1998)]，该晶格在能带中心支持扩展态相。当施加偏置时，吸收谱显示出清晰的 Wannier-Stark 阶梯特征 [E. D\'{\i}az \emph{et al.}, Phys. Rev. B\textbf{73}, 172410 (2006)]。我们证明，在无偏晶格和弱关联势中，衰变规律是非指数的。然而，当偏置增大且 $\alpha$ 较大时，衰变是纯指数的。我们将这种指数衰变与激子能带中 Wannier-Stark 阶梯的出现联系起来。