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共晶镓铟的界面张力迟滞现象

材料科学 2023-10-31 v1 应用物理

摘要

在原始状态下,镓及其合金具有室温下任何液体中最大的界面张力。然而,将置于水溶液NaOH(或其他电解质)中的共晶镓铟(EGaIn)施加低至0.8 V的电势,会使该金属表现得如同其界面张力接近于零。此现象背后的机制一直鲜为人知,因为NaOH溶解氧化物物种,难以直接测量界面处形成薄膜的浓度、厚度或化学组成。此外,所形成的氧化物层为原子级薄层。在此,我们提供一套技术,可同时测量电学与界面性质随外加电势的变化,从而对新机制获得深入认识,解释界面张力的急剧下降。本工作的一个关键发现是,在降低外加电势时界面张力呈现迟滞。我们将这些观测与电化学阻抗谱结合,评估界面张力的变化如何源于界面上的化学、电学与力学变化,并以如何构建自由能模型从第一性原理预测这些变化的设想作结。

关键词

引用

@article{arxiv.2310.19298,
  title  = {Interfacial Tension Hysteresis of Eutectic Gallium-Indium},
  author = {Keith D. Hillaire and Praneshnandan Nithyanandam and Minyung Song and Sahar Rashid Nadimi and Abolfazl Kiani and Michael D. Dickey and Karen E. Daniels},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2310.19298},
  year   = {2023}
}