基于第一性原理计算的 Mo 与 Mo 掺杂 LiNbO$_3$ 内禀或外禀缺陷的相互作用
化学物理
2020-05-14 v1 材料科学
光学
摘要
铌酸锂（LiNbO, LN）在全息存储中扮演重要角色，而钼掺杂铌酸锂（LN:Mo）是全息数据存储的优异候选材料。本文从第一性原理计算出发，探究了 Mo 掺杂 LiNbO 的基本特性，如占位偏好、电子结构及晶格畸变。发现 Mo 以最高电荷态 +6 取代 Nb 是最稳定的点缺陷形式。不同电荷态 Mo 形成的能级分布于带隙中，这导致了可见区的吸收。Mo 在不同电荷态间的转变意味着钼可作为 LN:Mo 中的光折变中心。此外，本文还研究了 Mo 与内禀或外禀点缺陷间的相互作用。内禀缺陷可引起能级的移动。对 Mo、Mg 共掺杂 LiNbO 的探究表明，尽管 Mg 离子不能移动 Mo 的能级，但它可改变 Mo 与 Mg 共掺杂 LN（LN:Mo,Mg）中电子的分布，从而有助于光折变现象。
引用
@article{arxiv.1912.03431,
title = {Interaction between Mo and intrinsic or extrinsic defects of Mo doped LiNbO$_3$ from first-principles calculations},
author = {Weiwei Wang and Hongde Liu and Dahuai Zheng and Yongfa Kong and Lixin Zhang and Jingjun Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.03431},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 7 figures and 2 tables