LiNbxM1-xO3 (M= V, W, Ta, Mo) 用于全息存储应用的第一性原理研究
材料科学
2017-09-08 v1
摘要
对于全息存储应用，掺杂不同过渡金属的知名铁电体（如铌酸锂）的光折变效应至关重要。第一性原理研究在此背景下具有特殊意义，旨在阐明为何某些过渡金属原子优于其他原子。在本工作中，为应用于紫外光折变，用价态大于或等于 +5 的过渡元素取代了 LiNbO3 中的 Nb 原子，并使用 HSE06 泛函进行了原子尺度第一性原理计算。发现过渡元素的 d 态降低了主体材料的带隙，这对合适的材料设计具有启示意义。W 获得了最小带隙，而 Ta 显示了最大值。估算了每种材料的吸收系数，基于其在 351 nm（即通常的紫外光折变波长，适用于全息应用）处的低值，发现 V、W、Ta、Mo 为适宜元素。随后还研究了这些晶体的双折射性质，预测 V 和 W 是良好的候选者。
引用
@article{arxiv.1709.01970,
title = {First-principles study of LiNbxM1-x O3, M= V, W, Ta, Mo for holographic memory applications},
author = {S. Mondal and K. Choudhary and S. Pal and A. K. Bandyopadhyay and S. Das and T. Chakraborty},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.01970},
year = {2017}
}