二维无序相互作用晶格电子：具有普适临界电导率的金属-绝缘体相变的数值证据
强关联电子
2015-05-20 v1
摘要
通过量子蒙特卡罗模拟，我们计算了在存在无序的情况下，与局域排斥相互作用的方形晶格上电子的直流电导率。我们提供了证据，表明存在从安德森绝缘体到关联无序金属的转变，该转变具有普适的临界直流电导率值 \sigma_{dc,crit} = (1.18 \pm 0.06) e^{2}/h。
引用
@article{arxiv.1012.5992,
title = {Interacting lattice electrons with disorder in two dimensions: Numerical evidence for a metal-insulator transition with a universal critical conductivity},
author = {Prabuddha B. Chakraborty and Krzysztof Byczuk and Dieter Vollhardt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5992},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures, 1 table