不同氢浓度NdFeAs(O,H)的层间-层内电阻率各向异性
超导电性
2022-08-23 v1
摘要
利用分子束外延与拓扑化学反应，我们在5°斜切MgO衬底上制备了不同氢浓度的NdFeAs(O,H)外延薄膜。通过测量纵向与横向电阻率，获得了ab面与c轴电阻率(ρ_ab与ρ_c)。将不同氢浓度NdFeAs(O,H)的电阻率各向异性γ_ρ=ρ_c/ρ_ab与NdFeAs(O,F)进行了比较。在氢浓度导致超导转变温度Tc超过40 K时，γ_ρ在50 K记录到约100-150。另一方面，在接近完全掺杂的样品中观察到低γ_ρ值9。通过将幂律表达式ρ_ab(T)=ρ_0+AT^β拟合数据得到的ab面电阻率指数β，在第二反铁磁相所在附近低温区接近1，这可能与相图过掺杂侧讨论的量子临界点有关。
引用
@article{arxiv.2204.01554,
title = {Inter- to Intra-Layer Resistivity Anisotropy of NdFeAs(O,H) with Various Hydrogen Concentrations},
author = {M. Chen and K. Iida and K. Kondo and J. Hänisch and T. Hatano and H. Ikuta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.01554},
year = {2022}
}
备注
Appeared in Physical. Rev. Materials