单层石墨烯场效应晶体管的输入参考低频噪声分析
应用物理
2021-09-01 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
输入参考低频噪声（LFN）的偏压依赖性 SVG 是 RF 电路设计中的一个重要方面。在硅晶体管中 SVG 曾被认为是恒定的，但近期的实验与理论研究反驳了这一点。在本信中，基于最近建立的基于物理的完备紧凑 LFN 模型，研究了单层石墨烯晶体管的 SVG 行为。在最大跨导所在的偏置点处记录到 SVG 的最小值，该点与众所周知的归一化输出 LFN 的 M 形峰值重合，且模型精确捕捉到这一趋势。迁移率涨落效应使 SVG 在电荷中性点（CNP）附近向较低电流方向增大，而载流子数涨落与串联电阻效应主要贡献于远离 CNP 的区域；因此，SVG 获得相对于栅压的抛物线形状，类似于 CMOS 器件。
引用
@article{arxiv.2104.11512,
title = {Input referred low-frequency noise analysis for single-layer graphene FETs},
author = {Nikolaos Mavredakis and David Jimenez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.11512},
year = {2021}
}