掺杂Mott绝缘体中的不均匀性
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们引入了自然界中存在两类通用Mott绝缘体的概念。它们通过对外来弱掺杂的响应来区分。在I型Mott绝缘体中，掺杂电荷形成团簇（即不均匀分布），而在II型Mott绝缘体中则均匀分布。我们提出了关于不均匀性在铜氧化物中所起作用的看法。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208490,
title = {Inhomogeneity in doped Mott insulator},
author = {Dung-Hai Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208490},
year = {2007}
}
备注
Talk given at MOS2002