真空界面对V2O3薄膜中电荷分布的影响
强关联电子
2009-09-22 v1 材料科学
摘要
通过基于密度泛函理论和局域密度近似的增广球面波方法，研究了V2O3薄膜的电子结构。我们确定，由真空界面引起的电荷再分布效应在此类薄膜中仅限于约15埃厚度的极窄表面层。因此，可以排除电荷再分布是V2O3薄膜（厚度为100-1000埃）中观测到的金属-绝缘体转变的异常厚度依赖性的来源。
引用
@article{arxiv.0909.1335,
title = {Influence of the vacuum interface on the charge distribution in V2O3 thin films},
author = {Udo Schwingenschloegl and Raymond Fresard and Volker Eyert},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.1335},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 13 figures, more information at http://www.physik.uni-augsburg.de/~eyert/