电子-电子拖曳对n-Si压阻效应的影响
统计力学
2011-02-02 v1
摘要
考虑谷间拖曳效应，研究了n-Si的压阻效应。结果表明，谷间拖曳增强了压电系数并降低了迁移率。在非简并载流子区域，拖曳效应随载流子浓度升高和温度降低而增强。
引用
@article{arxiv.1102.0191,
title = {Influence of Electron-electron Drag on Piezoresistance of n-Si},
author = {I. I. Boiko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0191},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 4 figures