Kondo半导体YbB12中的间接与直接能隙
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
对YbB12的光导率[σ(ω)]在宽广的温度范围（T=8-690 K）和光子能量（ℏω≥1.3 meV）下进行测量。σ(ω)数据揭示了YbB12从高温下的金属电子结构向低温下的半导体结构的整个交叉。与σ(ω)中的隧道开发相关联，发现了一个在T≤20 K时，ℏω=15 meV处的明确起始点。该起始能量被识别为YbB12在σ(ω)中出现的隧道宽度。该σ(ω)中的隧道被解释为Kondo半导体带模型中预测的间接隧道。在另一方面，σ(ω)中观察到的强中红外（mIR）峰被解释为来自直接隧道。吸收系数在起始点和mIR峰附近确实显示出符合传统半导体中间接和直接光学跃迁预期特征的能量依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503738,
title = {Indirect and direct energy gaps in the Kondo semiconductor YbB12},
author = {H. Okamura and T. Michizawa and T. Nanba and S. Kimura and F. Iga and T. Takabatake},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503738},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, submitted to J. Phys. Soc. Jpn