Kondo半导体SmB6与YbB12中本征能隙的不同演化
强关联电子
2010-02-15 v1 材料科学
摘要
通过体敏感光电子能谱，详细研究了 Kondo 半导体合金 Sm1-xEuxB6 和 Yb1-xLuxB12 中谱函数对温度和稀土替代的依赖性。结果发现，对于 SmB6，4f 晶格相干性和本征（小）能隙在 Eu 替代至 x = 0.15 时仍保持稳健，而对于 YbB12，在 Lu 替代至 x = 0.125 时两者均已坍缩。我们的结果表明，尽管 SmB6 和 YbB12 此前被归为同一类 Kondo 半导体，但它们的本征能隙形成机制是不同的。
引用
@article{arxiv.1002.2530,
title = {Different Evolution of Intrinsic Gap in Kondo Semiconductors SmB6 and YbB12},
author = {J. Yamaguchi and A. Sekiyama and M. Y. Kimura and H. Sugiyama and Y. Tomida and G. Funabashi and S. Komori and T. Balashov and W. Wulfhekel and T. Ito and S. Kimura and A. Higashiya and K. Tamasaku and M. Yabashi and T. Ishikawa and S. Yeo and S. -I. Lee and F. Iga and T. Takabatake and S. Suga},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.2530},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 3 figures