提高ν=5/2间隙能：MBE生长参数分析
介观与纳米尺度物理
2015-01-13 v1 量子物理
摘要
填充因子ν=5/2的分数量子霍尔态（FQHS）因其在量子计算中的可能应用而特别受关注。这里我们报告了生长参数的优化，使我们能够生产出5/2间隙能高达135 mK的二维电子气（2DEG）。我们专注于优化MBE生长，以在"as-grown"样品中提供高5/2间隙能，无需通过光照或门控技术增强2DEG性能。我们的发现使我们能够分析窄量子阱中掺杂相对于AlxGa1-xAs中常规DX掺杂的影响。还研究了掺杂层与2DEG之间的间隔距离的影响。此外，我们发现通过减少背景杂质数量可以显著增加间隙能。为此，采用了降低衬底和源炉温度以及减少2DEG区域中Al摩尔分数等生长技术。
引用
@article{arxiv.1403.4889,
title = {Increasing the {\nu} = 5 / 2 gap energy: an analysis of MBE growth parameters},
author = {Christian Reichl and Jun Chen and Stephan Baer and Clemens Rössler and Thomas Ihn and Klaus Ensslin and Werner Dietsche and Werner Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.4889},
year = {2015}
}