填充因子5/2处量子点接触中的分数量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v2
摘要
近期理论表明，某些量子霍尔态的激发可能具有奇异的编织统计特性，可用于构建拓扑量子门。这推动了利用受限几何结构研究此类态以检验其统计特性的实验努力。我们研究了在展现出完善分数量子霍尔效应（包括体填充因子5/2）的GaAs/AlGaAs二维电子气上制备的量子点接触（QPC）的输运性质。我们发现，在光刻宽度为1.2微米和0.8微米的点接触中，可以识别出有效的QPC填充因子5/2处的平台，但在0.5微米的点接触中则不能。我们研究了QPC中5/2平台对温度和直流电流偏置的依赖关系，以及在保持体填充因子为3时QPC中邻近的分数量子霍尔平台和整数平台。QPC填充因子5/2附近的输运行为与手性Luttinger液体边缘态及边缘间隧穿的图像一致，表明在这种受限几何结构中形成了5/2不可压缩态。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703161,
title = {Fractional quantum Hall effect in a quantum point contact at filling fraction 5/2},
author = {J. B. Miller and I. P. Radu and D. M. Zumbuhl and E. M. Levenson-Falk and M. A. Kastner and C. M. Marcus and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703161},
year = {2015}
}