面内磁场诱导的量子反常霍尔平台跃迁
介观与纳米尺度物理
2019-10-15 v2 材料科学
摘要
我们研究轴子绝缘体中面内磁场诱导的量子反常霍尔（QAH）平台跃迁的临界性质。以偶数七层膜 MnBiTe 为具体例子，我们发现面内场导致的镜面对称性破缺可诱导轴子绝缘体到 QAH 绝缘体的跃迁，其属于一般的整数量子霍尔平台跃迁。由于强交换场，手性马约拉纳费米子未必在 MnBiTe 的 QAH 平台跃迁中出现，但在其衍生材料 MnBiTe 与 MnBiTe 中或颇可行。
引用
@article{arxiv.1905.05919,
title = {In-Plane Magnetic-Field-Induced Quantum Anomalous Hall Plateau Transition},
author = {Jinlong Zhang and Zhaochen Liu and Jing Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05919},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures