酸性 (NH4)2S 溶液钝化改善 GaSb 金属氧化物半导体器件的界面与电学性能
材料科学
2015-06-17 v1
摘要
研究表明，使用酸性 (NH4)2S 溶液进行表面钝化能有效改善 HfO2/GaSb 金属氧化物半导体器件的界面和电学性能。与对照样品相比，经酸性 (NH4)2S 溶液处理的样品在频率色散、栅极漏电流和界面态密度方面表现出显著改善。这些改善归因于酸性 (NH4)2S 溶液增强了基底的钝化效果，这一结论从化学机理角度进行了分析，并通过 X 射线光电子能谱和高分辨率截面透射电子显微镜得到了证实。
引用
@article{arxiv.1310.4591,
title = {Improved Interfacial and Electrical Properties of GaSb Metal Oxide Semiconductor Devices Passivated with Acidic (NH4)2S Solution},
author = {Lianfeng Zhao and Zhen Tan and Jing Wang and Jun Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.4591},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 6 figures