无序对 5/2 分数量子霍尔态的影响
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
我们比较了在传统高迁移率调制掺杂量子阱样品中获得的 分数量子霍尔效应态的能量隙,以及在高质量 GaAs 晶体管(异质结绝缘栅场效应晶体管)中获得的相应能量隙。我们能够区分长程与短程无序在 5/2 态中所起的不同作用,并观察到长程势涨落对 5/2 态强度的损害比短程势无序更为严重。
引用
@article{arxiv.1109.6911,
title = {Impact of disorder on the 5/2 fractional quantum Hall state},
author = {W. Pan and N. Masuhara and N. S. Sullivan and K. W. Baldwin and K. W. West and L. N. Pfeiffer and D. C. Tsui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.6911},
year = {2015}
}
备注
PRL 106, 206806 (2011)