低迁移率电子系统中的ν=5/2分数量子霍尔态：无序的不同作用
介观与纳米尺度物理
2013-08-21 v1
摘要
我们报道了在迁移率远低于10^7 cm²/Vs的GaAs/Al_xGa_{1-x}As量子阱中观测到充分发展的ν=5/2分数量子霍尔态。这是通过强光照或在无光照条件下降低势垒Al组分实现的。我们用附近中性浅施主对电离远程杂质(RI)势的屏蔽来解释这两个结果。尽管输运特性有显著改善，但能隙Δ_{5/2}仍限于相当小的值（约100 mK），这表明一旦RI势被良好屏蔽且5/2态出现，Δ_{5/2}的大小受限于迁移率，即受限于背景杂质。
引用
@article{arxiv.1101.5856,
title = {$nu=5/2$ Fractional Quantum Hall State in Low-Mobility Electron Systems: Different Roles of Disorder},
author = {Gerardo Gamez and Koji Muraki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.5856},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures