SiGe 纳米柱中的 Humble 平面缺陷
材料科学
2022-09-14 v1
摘要
我们报道了在 SiGe 纳米柱中发现的一种新的 {001} 平面缺陷。由原子分辨率电子显微镜确定的缺陷结构与针对金刚石提出的 Humble 缺陷模型相符。我们还利用第一性原理计算研究了 Humble 结构的几种可能变体，发现能量最低者与 STEM 图像吻合最好。通过电子能量损失谱分析了纳米柱成分，这暗示了缺陷的形成方式。我们的结果表明，纳米结构化 IV 族半导体中缺陷的结构与形成过程可能不同于其块体对应物。
引用
@article{arxiv.2111.04145,
title = {Humble planar defects in SiGe nanopillars},
author = {Hongbin Yang and Shang Ren and Sobhit Singh and Emily M. Turner and Kevin S. Jones and Philip E. Batson and David Vanderbilt and Eric Garfunkel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.04145},
year = {2022}
}