亚纳米尺度下 Si 与 Ge 纳米线的结构
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们报道了对几种直径在 0.5 至 1.2 nm 之间的 Si 和 Ge 本征纳米线可能结构的从头算研究。我们考虑了基于金刚石结构、高体密度结构以及富勒烯状结构的纳米线。我们发现金刚石结构纳米线在直径小于 1 nm 时不稳定，并发生向非晶状线的显著结构转变。这种不稳定性与一个连续介质模型一致，该模型预测对于 Si 和 Ge，在直径小于 1 nm 时金刚石结构与高密度结构纳米线之间存在稳定性交叉。对于 0.8 nm 至 1 nm 之间的直径，填充富勒烯线最为稳定。对于更小的直径（d~0.5 nm），我们发现简单六角结构对 Si 和 Ge 都特别稳定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0408546,
title = {Structures of Si and Ge nanowires in the sub-nanometer range},
author = {Ricardo Kagimura and Ricardo W. Nunes and Helio Chacham},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0408546},
year = {2009}
}
备注
4 pages (in journal two column format), 4 figures, submitted for publication