U=$\infty$ Hubbard 模型：单粒子与双粒子涨落的作用

我们构建了一个半解析框架，采用规范费米子表示形式来探讨强相关电子体系。我们考察 U=$\infty$ Hubbard 模型，并使用方程运动法计算费米子自能，其包含两个组成部分：单粒子和双粒子涨落过程。此处涨落的准粒子是自生成的局部电荷和自旋密度涨落，由于极端相关性而变得强烈的时间依赖。计算得到的准粒子谱密度为扩散阻尼模式，呈现长尾现象。在 d=$\infty$ 条件下自一致地计算了电子自能。相应的费米子谱密度显示在 $\omega=0$ 处显著的相干性峰，而其频率导数在有限 $\omega$ 处呈现双峰结构。电阻率在较宽温度范围内显示线性温度依赖，随后在极低温度转变为相干的费米液体行为。