分支如何改变弹道半导体器件的电导
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1
摘要
我们证明，即使系统尺寸远小于平均自由程，半导体纳米结构中电子流的分支也能强烈影响宏观输运量，并显著改变它们对外部参数的依赖关系，使其偏离理想弹道情况。在基于 GaAs/AlGaAs 二维电子气的角形弹道器件中，我们观察到磁阻曲线中整度峰的分裂。我们表明，包含二维电子气随机无序势的模型可以解释由电子束准直导致的峰的随机分裂。分裂的形状取决于无序势的具体实现。同时，磁聚焦峰在很大程度上不受无序势的影响。
引用
@article{arxiv.1204.3775,
title = {How branching can change the conductance of ballistic semiconductor devices},
author = {D. Maryenko and J. J. Metzger and F. Ospald and V. Umansky and R. Fleischmann and T. Geisel and K. von Klitzing and J. H. Smet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.3775},
year = {2015}
}
备注
accepted for publication in Phys. Rev. B