高阶拓扑绝缘体的漏斗状生长

理解晶体生长和形态是凝聚态物理学中的一个基本问题。虽然由扩散场的分布和动力学引起的晶体形态已被广泛研究，但内在材料性质如何影响晶体形态仍不清楚。在本快报中，我们证明了高阶拓扑相可以产生中空的晶体形态，即晶体的角部比中心区域推进得更快，这源于一种源自拓扑电子态的非常规机制。我们通过分析分形维数 $D_f$ 和海岸线分形维数 $D_{f,c}$ 定量地展示了这一联系。当我们在晶体生长相对较快的情况下，比较具有相同 $D_f$ 的普通绝缘体和高阶拓扑绝缘体相中的晶体时，前者呈树枝状，而后者呈漏斗状，这由高阶拓扑相中较小的 $D_{f,c}$ 所量化。