通过表面金属化在 (Cd,Mn)Te 量子井中实现空穴到电子的十字
介观与纳米尺度物理
2025-12-05 v1
摘要
本 work 考察了接触材料如何影响 p 类型 CdTe 基量子井的局部电荷属性。我们研究了五种 deposition 在样品表面作为 10 nm 层的金属：Au、Ag、Cr、Ni 和 Ti。我们使用磁光谱学通过监控三能级跃迁的泊森拉尔德移位来判别其电荷状态。大多数测试金属保留量子井的原始 p 类型，而金属和镍覆盖将局部掺杂翻转为 n 类型。这归因于这两种金属与半导体之间稳健的键合，有效地通过其表面改善了电子扩散，从金属到量子井。
引用
@article{arxiv.2512.04631,
title = {Hole to Electron Crossover in a (Cd,Mn)Te Quantum Well through Surface Metallization},
author = {Amadeusz Dydniański and Mateusz Raczyński and Aleksandra Łopion and Tomasz Kazimierczuk and Jacek Kasprzak and Karolina Ewa Połczyńska and Wojciech Pacuski and Piotr Kossacki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.04631},
year = {2025}
}