无需化学替代的空穴掺杂MgB$_2$
超导电性
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
提出了无需化学替代即可实现空穴掺杂MgB的结构。这些结构由交替的MgB层和石墨烯层组成，与块体石墨和MgB相比具有较小的过剩能量。基于密度泛函理论的第一性原理电子结构计算表明，MgB层向石墨烯发生了显著的电荷转移，从而实现了有效的空穴掺杂MgB。预测所提出结构的费米能级态密度有显著增强。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702625,
title = {Hole doping MgB$_2$ without chemical substitution},
author = {Peihong Zhang and Susumu Saito and Steven G. Louie and Marvin L. Cohen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702625},
year = {2007}
}