高富集 $^{28}$Si 揭示知名损伤中心的显著光学线宽与精细结构
应用物理
2018-11-14 v1 量子物理
摘要
几十年来,硅中辐射损伤中心导致的发光与光吸收已被详尽研究,但因作为集成硅光子技术发射器的应用而重新受到关注。虽然多种其他光学跃迁在富集 Si 中比在自然 Si 中明显更锐利(由于消除了非均匀同位素展宽),但这一点尚未在辐射损伤中心上被研究。我们报道了高富集 Si 中知名 G、W 和 C 损伤中心的结果,某些情况下光学线宽改善超过两个数量级,揭示了 G 中心发光与吸收中先前隐藏的精细结构。这些结果对即便在自然 Si 中单中心发射所预期的线宽以及 G 中心结构模型具有直接意义。Si 的优势可轻易扩展到硅中其他辐射损伤中心的研究。
引用
@article{arxiv.1807.10718,
title = {Highly enriched $^{28}$Si reveals remarkable optical linewidths and fine structure for well-known damage centers},
author = {C. Chartrand and L. Bergeron and K. J. Morse and H. Riemann and N. V. Abrosimov and P. Becker and H. -J. Pohl and S. Simmons and M. L. W. Thewalt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.10718},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 6 figures