电流偏置扩散接触中电压涨落的高阶累积量

K. E. Nagaev

电流偏置扩散接触中电压涨落的高阶累积量

介观与纳米尺度物理 2007-05-23 v3

作者: K. E. Nagaev

摘要

利用半经典级联方法，我们计算了电流偏置的电阻为 $R$ 的扩散金属接触中电压的第三和第四累积量，适用于任意温度和电压。第三累积量在高温下等于 $e^2R^3I/3$ ，在低温下等于 $4e^2R^3I/15$ ；而第四累积量在高温下等于 $2e^2R^3T/3$ ，在低温下等于 $(34/105)e^3R^4I$ 。

关键词

电压涨落高阶累积量扩散接触半经典级联方法散粒噪声电流偏置

引用

@article{arxiv.cond-mat/0302008,
  title  = {Higher cumulants of voltage fluctuations in current-biased diffusive contacts},
  author = {K. E. Nagaev},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302008},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 1 figure, major changes

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