电流偏置导体中电压波动分布
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们计算了由电流源驱动的导体中电压 V(t) 的波动分布。这相当于电压偏置电路中电流波动 I(t) 的 shot noise 问题的对偶情况。在单通道情况下，累积相位 Phi=(e/hbar)\int Vdt 的分布为 Pascal（或二项式等待时间）分布——这与传递电荷 Q=\int Idt 的二项式分布不同。在弱耦合极限下，球形导体的极限中 P(Phi) 为泊松分布，而在隧穿极限下 P(Phi) 具有卡方分布形式。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210617,
title = {Distribution of voltage fluctuations in a current-biased conductor},
author = {M. Kindermann and Yu. V. Nazarov and C. W. J. Beenakker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210617},
year = {2007}
}
备注
4 pages including 2 figures