高通量电子能带结构计算：挑战与工具
材料科学
2014-12-24 v1
摘要
本文致力于讨论能带结构计算的高通量方法。我们提出了科学和计算上的挑战，以及依赖所开发框架（Automatic Flow, AFLOW/ACONVASP）的解决方案。该方法的关键因素是流程的标准化与鲁棒性。两种场景是相关的：1) 独立用户在自己的计算系统中生成数据库（离线方法）；2) 团队用户基于共同基础共享计算信息（在线方法）。这两种情况都集成在框架中：对于离线方法，标准化是自动的，并完全集成了 14 种 Bravais 晶格、初元与常规晶胞，以及 Brillouin 区中高对称 k 路径的坐标。对于在线任务，该框架提供了一个可扩展的 Web 界面，用户可以在其中按照建议的标准准备和设置计算。文中包含了几个能带结构的例子。还给出了 Nd、Sm 和 Eu 的 LSDA+U 参数 (U, J)。
引用
@article{arxiv.1004.2974,
title = {High-throughput electronic band structure calculations: challenges and tools},
author = {Wahyu Setyawan and Stefano Curtarolo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.2974},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 48 figures, http://materials.duke.edu/