半绝缘 GaAs — 金属氧化物界面处的高迁移率导电沟道
应用物理
2020-05-20 v1 材料科学
摘要
缺乏高效的 GaAs 钝化技术限制了 III-V 族半导体在现代电子学中的应用。本文报道的效应可能为解决这一长期问题提供途径。我们发现，当通过氩/氧等离子体中的反应射频溅射在未处理的半绝缘 GaAs 晶片上沉积绝缘金属氧化物电介质时，会形成导电界面沟道。该导电沟道为 n 型，表面电荷密度为 10^7 至 10^10 cm^-2，霍尔迁移率高达 6000 cm^2/Vsec，具体取决于沉积过程中的射频等离子体激发功率和氧含量。该导电沟道可通过沉积任一被测金属氧化物电介质形成：MgO、SiO2、Al2O3 和 HfO2。
引用
@article{arxiv.2004.13543,
title = {High mobility conducting channel at semi-insulating GaAs -- metal oxide interfaces},
author = {Gregory Kopnov and Alexander Gerber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.13543},
year = {2020}
}