生长应力诱导的薄膜介电常数可调性
材料科学
2016-01-20 v1
摘要
本文证明了生长应力对氧化锆薄膜的介电常数有显著影响。研究表明，相、织构和应力的正确组合可产生具有高介电常数的薄膜，并实现了目前报道的最佳等效氧化层厚度 0.8 nm。应力对介电常数的影响具有双重性：首先是通过影响相变，其次是通过影响原子间距离。我们详细讨论并解释了应力、相变与介电常数之间相互作用的物理机制。
引用
@article{arxiv.1503.08299,
title = {Growth Stress Induced Tunability of Dielectric Constant in Thin Films},
author = {K. V. L. V. Narayanachari and Hareesh Chandrasekar and Amiya Banerjee and K. B. R. Varma and Rajeev Ranjan and Navakanta Bhat and Srinivasan Raghavan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.08299},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 5 figures