带和 Mott 绝缘体中 Zener 击穿的基态衰变率
强关联电子
2009-11-11 v4
摘要
强电场中电子的非线性输运，如介质击穿，被重新表述为以 Schwinger 在非线性 QED 中研究的基态衰变率。我们讨论了电子相互作用对 Zener 隧穿的影响，通过比较带绝缘体和 Mott 绝缘体的介质击穿来实现，其中后者通过时域密度矩阵重整化群 (DMRG) 进行研究。还建立了其与 Berry 相位极化理论的关联。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503503,
title = {Ground-State Decay Rate for the Zener Breakdown in Band and Mott Insulators},
author = {Takashi Oka and Hideo Aoki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503503},
year = {2009}
}
备注
5 pages 2 figures, revised text, version to appear in Phys. Rev. Lett