一维莫特绝缘体中的非平衡电子输运
强关联电子
2010-11-11 v2
摘要
我们计算了半填充的一维相互作用链耦合到非相互作用引线时的非平衡电子输运性质。该相互作用链初始处于莫特绝缘体状态，通过在引线之间施加强偏压使其偏离平衡。对于高于某一阈值的偏压，我们观察到莫特绝缘体状态的击穿，并在系统中建立了稳态电子电流。基于广泛的时间相关密度矩阵重正化群模拟，我们表明该稳态电流对电压的函数依赖关系始终相同，与模型的微观细节无关，并将阈值与Lieb-Wu能隙联系起来。我们将结果置于Landau-Zener介电击穿图景中。最后，我们还讨论了电流的实时演化，并通过计算双占据数、自旋结构因子和纠缠熵来表征莫特绝缘体击穿后产生的载流状态。
引用
@article{arxiv.1008.0101,
title = {Non-equilibrium electronic transport in a one-dimensional Mott insulator},
author = {F. Heidrich-Meisner and I. Gonzalez and K. A. Al-Hassanieh and A. E. Feiguin and M. J. Rozenberg and E. Dagotto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0101},
year = {2010}
}
备注
12 pages RevTex4, 12 eps figures, as published, minor revisions