旋转黑洞背景中膜标量场的灰体因子

我们研究了(4+n)维旋转黑洞向膜上标量自由度的蒸发过程。我们计算了相应的吸收概率和截面，在低能区域获得了解析解，并将导出的解析表达式与数值结果进行了比较，两者吻合得很好。随后我们考虑高能区域，采用一种新方法构造了标量场方程的解析高能解，并计算了该能量区域的吸收概率和截面，再次发现与精确数值结果非常吻合。我们还确定了总截面的高能渐近值，并将其与几何光学极限应用导出的解析结果进行了比较。