高维旋转黑洞发射有质量标量场

我们对高维、简单旋转黑洞在体空间和膜上发射有质量标量场进行了全面研究。我们推导了吸收概率的近似解析结果以及精确数值结果，并证明在低能和中能区，对于体空间中质量 $m_\Phi < 1$ TeV 和膜上质量 $m_\Phi < 0.5$ TeV 的标量场，这两组结果吻合得很好。然后，利用吸收概率的数值结果，推导了霍金辐射功率发射谱，该谱依赖于额外维数、黑洞角动量和发射场的质量。我们计算了体空间和膜上的总发射率，并证明，尽管膜通道仍然是主导通道，但考虑发射场质量后，体空间与膜的能量比显著增加（高达 33%）。