巨 D5 膜全息霍尔态

我们利用探针 D5 膜找到了强耦合缺陷场论的一种新全息描述。我们考虑这样一个系统：大量渐近为 D5 膜的探针膜膨胀为悬浮在反德西特空间体内部的 D7 膜。对于特定的电荷密度与外磁场之比，使得每种颜色的朗道能级填充因子等于 1 时，D7 膜表现出一种不可压缩的电荷能隙态，具有一个单位的整数量子霍尔电导。通过数值求解 D5 和 D7 膜的嵌入方程，我们找到了该能隙态附近一系列参数下的详细构型以及无能隙、可压缩构型，并通过比较能量证明 D7 膜优于 D5 膜。随后，我们发现具有更高填充因子的整数量子霍尔态表现为堆叠的 D5 膜膨胀为多个 D7 膜，其中每个 D7 膜的填充因子均为 1。我们发现迹象表明，当 n 是 D5 膜总数的约数时，描述填充因子 n 态的 n 个 D7 膜重合且具有剩余的 SU(n) 对称性。我们考察了较大填充因子霍尔态的稳定性问题。我们认为，在 D7 膜相中，手征对称性恢复可能是一级相变。