基于Fe-N薄膜的GHz夹层带状电感器
其他凝聚态物理
2013-11-27 v1
摘要
由两层Fe-N薄膜包裹一层Cu导电薄膜构成的平面带状电感器被制作在氧化硅衬底上。电感器长1毫米，宽2至100微米，磁性薄膜层厚约0.1微米，导体层厚约0.5微米。在阻抗测量过程中，通过沿带长方向施加外场对软磁（Hc=4-8 Oe）磁性层进行偏置，从而促进横向磁化率配置。偏置的带状电感器在1GHz下表现出70%至100%的电感增强，品质因数Q分别为4.5至3。窄器件中磁通对总磁通的贡献小于理论预测，这归因于带状边缘处磁性材料的硬化，该处沉积接近60度入射角。在倾斜衬底上制备了测试薄膜，发现当沉积角大于30度时，会形成非常高的各向异性（高达1 kOe）。优化带状边缘的磁通闭合和使用更厚的导体层对于进一步提高夹层带状电感器的性能至关重要。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601497,
title = {GHz sandwich strip inductors based on Fe-N Films},
author = {A. Gromov and V. Korenivski and D. Haviland},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601497},
year = {2013}
}
备注
18 pages, 9 figures