中文

Fe(Se,Te) 超导纳米桥中的电流诱导电阻态

超导电性 2017-03-20 v2

摘要

我们研究了沉积在 CaF2_2 衬底上的 Fe(Se,Te) 薄膜以纳米条形式(宽度 wλw\sim\lambdaλ\lambda 为伦敦穿透深度)的电流 - 电压特性。鉴于这些材料在超导电子学和微电子学中的潜在应用,我们重点关注小磁场下的输运性质,该磁场由偏置电流产生。根据不同温度下测得的特性,我们推导了钉扎势 UU 和钉扎势范围 δ\delta 的估计值。由于样品线非常窄,只有考虑到符号相反的磁通线之间的吸引相互作用时,经典蠕变流模型才能对数据提供足够准确的解释。观测到的电压以及纳米条临界电流的受损情况,与平衡状态下存在数十条磁通线以及强烈的非均匀电流密度分布相一致。特别是,我们认为定义桥几何形状的尖锐拐角代表了磁通线易于注入的点。该结果对于超导 Fe(Se,Te) 纳米条中的蠕变流分析具有重要意义。

关键词

引用

@article{arxiv.1610.00437,
  title  = {Current Induced Resistive State in Fe(Se,Te) Superconducting Nanobridges},
  author = {C. Nappi and C. Camerlingo and E. Enrico and E. Bellingeri and V. Braccini and C. Ferdeghini and E. Sarnelli},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1610.00437},
  year   = {2017}
}

备注

21 pages, 7 figures