超导-半导体混合结构中的普适量子化零偏压电导峰
介观与纳米尺度物理
2020-01-15 v2
摘要
我们通过在具有连续调谐参数的零维随机矩阵模型中证明，量子化零偏压电导峰在超导-半导体混合结构中应当是普遍存在的。我们展示了在该模型中可以一般地获得正常金属-超导体(NS)结的电导谱，复现了近期实验结果中看到的所有特征。这些理论上的量子化电导峰明确并非源于空间孤立的马约拉纳零模，可通过在多个独立调谐参数上制备电导的等高线图来轻易找到，从而模拟塞曼分裂和结附近栅极电压的影响。这表明，即便稳定且看似量子化的电导峰也未必对应于孤立的马约拉纳模；相反，先验预期应当是，此类量子化峰普遍占据表征NS隧穿实验的高维调谐参数空间的显著部分。
引用
@article{arxiv.1906.08193,
title = {Generic quantized zero-bias conductance peaks in superconductor-semiconductor hybrid structures},
author = {Haining Pan and William S. Cole and Jay D. Sau and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.08193},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures